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UF4006-E3/53

UF4006-E3/53

참조 용

부품 번호 UF4006-E3/53
PNEDA 부품 번호 UF4006-E3-53
설명 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,402
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UF4006-E3/53 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UF4006-E3/53
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
UF4006-E3/53, UF4006-E3/53 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 80.05 KB)
PDFUF4003-E3/53 데이터 시트 표지
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  • UF4006-E3/53 Distributor

UF4006-E3/53 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F17pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 600mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

S34120

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

MBRM5100-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Powermite®3

공급자 장치 패키지

Powermite 3

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

S3G-M3/9AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 2.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDD09SG60CXTMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

9A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 9A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

280pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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