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UGB8HCT-E3/81

UGB8HCT-E3/81

참조 용

부품 번호 UGB8HCT-E3/81
PNEDA 부품 번호 UGB8HCT-E3-81
설명 DIODE ARRAY GP 500V 4A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,700
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UGB8HCT-E3/81 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UGB8HCT-E3/81
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
UGB8HCT-E3/81, UGB8HCT-E3/81 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 144.13 KB)
PDFUGF8JCTHE3/45 데이터 시트 표지
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  • UGB8HCT-E3/81 Distributor

UGB8HCT-E3/81 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)500V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.75V @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 500V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 70V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-523

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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작동 온도-접합

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