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UH1C-E3/61T

UH1C-E3/61T

참조 용

부품 번호 UH1C-E3/61T
PNEDA 부품 번호 UH1C-E3-61T
설명 DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,124
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UH1C-E3/61T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UH1C-E3/61T
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
UH1C-E3/61T, UH1C-E3/61T 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 85.65 KB)
PDFUH1DHE3/61T 데이터 시트 표지
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  • UH1C-E3/61T Distributor

UH1C-E3/61T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)30ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

AR4PJHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

77pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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