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UH6PJ-M3/86A

UH6PJ-M3/86A

참조 용

부품 번호 UH6PJ-M3/86A
PNEDA 부품 번호 UH6PJ-M3-86A
설명 DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,830
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UH6PJ-M3/86A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UH6PJ-M3/86A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
UH6PJ-M3/86A, UH6PJ-M3/86A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 84.35 KB)
PDFUH6PJHM3_A/I 데이터 시트 표지
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UH6PJ-M3/86A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈eSMP®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3V @ 6A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)45ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-277, 3-PowerDFN
공급자 장치 패키지TO-277A (SMPC)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

80ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

GP20

작동 온도-접합

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DST3060DJF

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

770mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-PDFN (5x6)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAS86-M-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

작동 온도-접합

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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