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ULQ2003D1013TR

ULQ2003D1013TR

참조 용

부품 번호 ULQ2003D1013TR
PNEDA 부품 번호 ULQ2003D1013TR
설명 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
제조업체 STMicroelectronics
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ULQ2003D1013TR 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ULQ2003D1013TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
ULQ2003D1013TR, ULQ2003D1013TR 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 610.38 KB)
PDFULQ2001D1013TR 데이터 시트 표지
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ULQ2003D1013TR 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SO

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2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

357mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

MCH6001-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전력-최대

600mW

주파수-전환

16GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

STD830CP40

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

18 @ 700mA, 5V

전력-최대

3W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

전력-최대

200mW

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