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UM6606SM

UM6606SM

참조 용

부품 번호 UM6606SM
PNEDA 부품 번호 UM6606SM
설명 RF DIODE PIN 600V 2.5W
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,740
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UM6606SM 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UM6606SM
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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UM6606SM 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)600V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F-
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)2.5W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TA)
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143-4

SMP1304-079LF

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

HPND-4005

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

120V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.02pF @ 10V, 10GHz

저항 @ If, F

6.5Ohm @ 20mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Beam Lead

공급자 장치 패키지

-

BAR9002LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

80V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

800mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-2

S392D-HG3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 100MHz

저항 @ If, F

60Ohm @ 1.5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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