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UMB10NFHATN

UMB10NFHATN

참조 용

부품 번호 UMB10NFHATN
PNEDA 부품 번호 UMB10NFHATN
설명 PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
제조업체 Rohm Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UMB10NFHATN 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UMB10NFHATN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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UMB10NFHATN 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형2 PNP Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
전력-최대150mW
주파수-전환250MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지UMT6

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 10mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

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장착 유형

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 5V

전력-최대

2.75W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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MMDT2907A-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

200mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

PBSS4260PANP,115

Nexperia

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

90mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 2V

전력-최대

510mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

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2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

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6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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