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UMF28NTR

UMF28NTR

참조 용

부품 번호 UMF28NTR
PNEDA 부품 번호 UMF28NTR
설명 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,802
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UMF28NTR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UMF28NTR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
UMF28NTR, UMF28NTR 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 2,152.25 KB)
PDFUMF28NTR 데이터 시트 표지
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UMF28NTR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA, 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)22kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환250MHz, 140MHz
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지UMT6

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시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

PEMB10,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

NSVBC114YPDXV65G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

500mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

RN2707,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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