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UNR222400L

UNR222400L

참조 용

부품 번호 UNR222400L
PNEDA 부품 번호 UNR222400L
설명 TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UNR222400L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UNR222400L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
UNR222400L, UNR222400L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 295.83 KB)
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  • UNR222400L Distributor

UNR222400L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)2.2 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지Mini3-G1

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PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

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DDTC114GUA-7-F

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

DTD123TSTP

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72 Formed Leads

공급자 장치 패키지

SPT

DDTA114YCA-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

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패키지 / 케이스

SOT-723

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