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UNR222600L

UNR222600L

참조 용

부품 번호 UNR222600L
PNEDA 부품 번호 UNR222600L
설명 TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UNR222600L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UNR222600L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
UNR222600L, UNR222600L 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 295.83 KB)
PDFUNR222400L 데이터 시트 표지
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  • UNR222600L Distributor

UNR222600L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)4.7 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic80mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지Mini3-G1

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PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

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저항-베이스 (R1)

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저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BCR 179F E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

150MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

PG-TSFP-3

DTC124EU3T106

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased + Diode

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

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패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

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