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UNR9119J0L

UNR9119J0L

참조 용

부품 번호 UNR9119J0L
PNEDA 부품 번호 UNR9119J0L
설명 TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 6,930
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UNR9119J0L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UNR9119J0L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
UNR9119J0L, UNR9119J0L 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 627.95 KB)
PDFUNR911DJ0L 데이터 시트 표지
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  • UNR9119J0L Distributor

UNR9119J0L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)1 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)10 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환80MHz
전력-최대125mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지SSMini3-F1

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

CST3

MUN2134T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

230mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

DTA114EET1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

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200mW

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