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UNR92A8G0L

UNR92A8G0L

참조 용

부품 번호 UNR92A8G0L
PNEDA 부품 번호 UNR92A8G0L
설명 TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 5,076
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UNR92A8G0L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UNR92A8G0L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
UNR92A8G0L, UNR92A8G0L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 503.48 KB)
PDFUNR92A8G0L 데이터 시트 표지
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  • UNR92A8G0L Distributor

UNR92A8G0L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)510 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2)5.1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환150MHz
전력-최대125mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지SSMini3-F3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SC-75

FJNS3201RBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

공급자 장치 패키지

TO-92S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3; MPAK

FJNS4205RBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

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