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UP04979G0L

UP04979G0L

참조 용

부품 번호 UP04979G0L
PNEDA 부품 번호 UP04979G0L
설명 MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6
제조업체 Panasonic Electronic Components
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UP04979G0L 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UP04979G0L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • UP04979G0L Distributor

UP04979G0L 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)50V, 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대125mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SSMini6-F2

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 20V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

FDG6302P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 140mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SI7218DN-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 15V

전력-최대

23W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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