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UPA1764G-E2-AZ

UPA1764G-E2-AZ

참조 용

부품 번호 UPA1764G-E2-AZ
PNEDA 부품 번호 UPA1764G-E2-AZ
설명 MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA1764G-E2-AZ 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA1764G-E2-AZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA1764G-E2-AZ, UPA1764G-E2-AZ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 200.41 KB)
PDFUPA1764G-E1-A 데이터 시트 표지
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UPA1764G-E2-AZ 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

-

패키지 / 케이스

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

125pf @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

제조업체

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시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

24-SMD

FDQ7698S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1324pF @ 15V

전력-최대

1.1W, 1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 11 Leads, Fused Leads

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 6V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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