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UPA1950TE-T1-AT

UPA1950TE-T1-AT

참조 용

부품 번호 UPA1950TE-T1-AT
PNEDA 부품 번호 UPA1950TE-T1-AT
설명 MOSFET P-CH SC-95
제조업체 Renesas Electronics America
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UPA1950TE-T1-AT 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA1950TE-T1-AT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA1950TE-T1-AT, UPA1950TE-T1-AT 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 198.2 KB)
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  • UPA1950TE-T1-AT Distributor

UPA1950TE-T1-AT 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.9nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds220pF @ 10V
전력-최대1.15W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-95
공급자 장치 패키지SC-95

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Rohm Semiconductor

시리즈

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SP8J3FU6TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDS6894AZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1455pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SSM6L12TU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 6V

전력-최대

910mW (Ta)

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