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UPA1952TE-T1-A

UPA1952TE-T1-A

참조 용

부품 번호 UPA1952TE-T1-A
PNEDA 부품 번호 UPA1952TE-T1-A
설명 MOSFET P-CH SC-95
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA1952TE-T1-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA1952TE-T1-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA1952TE-T1-A, UPA1952TE-T1-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 201.45 KB)
PDFUPA1952TE-T1-A 데이터 시트 표지
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UPA1952TE-T1-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.3nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds272pF @ 10V
전력-최대1.15W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-95
공급자 장치 패키지SC-95

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC, 12.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF, 1550pF @ 25V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1650pF @ 25V

전력-최대

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SP8M6FU6TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDS6892AZ

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1286pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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