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UPA2660T1R-E2-AX

UPA2660T1R-E2-AX

참조 용

부품 번호 UPA2660T1R-E2-AX
PNEDA 부품 번호 UPA2660T1R-E2-AX
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
제조업체 Renesas Electronics America
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UPA2660T1R-E2-AX 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2660T1R-E2-AX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • UPA2660T1R-E2-AX Distributor

UPA2660T1R-E2-AX 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs62mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 10V
전력-최대2.3W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-PowerWDFN
공급자 장치 패키지6-HUSON (2x2)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1225pF @ 25V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SP8K2TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

UPA3753GR-E1-AT

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 10V

전력-최대

1.12W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTMC120AM09CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

295A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

644nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11000pF @ 1000V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

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SP3

LN60A01ES-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-20°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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