UPA2670T1R-E2-AX
참조 용
| 부품 번호 | UPA2670T1R-E2-AX |
| PNEDA 부품 번호 | UPA2670T1R-E2-AX |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,968 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UPA2670T1R-E2-AX 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UPA2670T1R-E2-AX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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UPA2670T1R-E2-AX 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 473pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.3W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-HUSON (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4290pF @ 15V 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-WSON (3.3x3.3) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 15V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-FlipFet™ 공급자 장치 패키지 6-FlipFet™ |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2230pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 46.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2060pF @ 10V 전력-최대 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
