UPA2690T1R-E2-AX
참조 용
| 부품 번호 | UPA2690T1R-E2-AX |
| PNEDA 부품 번호 | UPA2690T1R-E2-AX |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,330 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UPA2690T1R-E2-AX 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UPA2690T1R-E2-AX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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UPA2690T1R-E2-AX 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A, 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 330pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.3W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 6-HUSON (2x2) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 95A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 300nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 25V 전력-최대 462W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
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