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US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

참조 용

부품 번호 US1B-M3/61T
PNEDA 부품 번호 US1B-M3-61T
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

US1B-M3/61T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호US1B-M3/61T
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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PDFUS1GHE3/61T 데이터 시트 표지
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US1B-M3/61T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.12V @ 240A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

6mA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

3600pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SCH10000

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10000V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

10V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

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