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UT6J3TCR

UT6J3TCR

참조 용

부품 번호 UT6J3TCR
PNEDA 부품 번호 UT6J3TCR
설명 -20V PCH+PCH POWER MOSFET
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 27,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UT6J3TCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UT6J3TCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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UT6J3TCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2000pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-PowerUDFN
공급자 장치 패키지HUML2020L8

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-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A, 18A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

485pF @ 15V

전력-최대

3.5W, 3.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

FDG6321C-F169

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA (Ta), 410mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V, 62pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMN3012LEG-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

445pF @ 15V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

전력-최대

16W, 16.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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