V30100S-E3/4W
참조 용
| 부품 번호 | V30100S-E3/4W |
| PNEDA 부품 번호 | V30100S-E3-4W |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 115,032 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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V30100S-E3/4W 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | V30100S-E3/4W |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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V30100S-E3/4W 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | TMBS® |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 30A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 910mV @ 30A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1mA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 200mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 5ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 25V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 0603/SOD-523F 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 440mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 250mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.5V @ 250mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 400ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 35A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 190°C |
