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VBT2080S-M3/8W

VBT2080S-M3/8W

참조 용

부품 번호 VBT2080S-M3/8W
PNEDA 부품 번호 VBT2080S-M3-8W
설명 DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VBT2080S-M3/8W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VBT2080S-M3/8W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VBT2080S-M3/8W, VBT2080S-M3/8W 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 101.72 KB)
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VBT2080S-M3/8W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If920mV @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr700µA @ 80V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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DO-214AA (SMB)

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류-평균 정류 (Io)

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

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