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VEMD5510C

VEMD5510C

참조 용

부품 번호 VEMD5510C
PNEDA 부품 번호 VEMD5510C
설명 SENSOR PHOTODIODE 550NM 4SMD
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VEMD5510C 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VEMD5510C
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
VEMD5510C, VEMD5510C 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 141.65 KB)
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VEMD5510C 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
파장550nm
색상-강화-
분광 범위440nm ~ 700nm
다이오드 유형PIN
nm에서의 반응-
응답 시간70ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-어둡게 (일반)200pA
활성 영역7.5mm²
시야각130°
작동 온도-40°C ~ 100°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, No Lead Exposed Pad

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Sharp Microelectronics

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-

파장

950nm

색상-강화

-

분광 범위

400nm ~ 1200nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

100ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-어둡게 (일반)

10nA

활성 영역

-

시야각

40°

작동 온도

-25°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

시리즈

-

파장

850nm

색상-강화

-

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

25ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

32V

전류-어둡게 (일반)

2nA

활성 영역

7.34mm²

시야각

120°

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

-

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제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

950nm

색상-강화

Red

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

45ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

75nA

활성 영역

68.7mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Free Hanging

패키지 / 케이스

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Marktech Optoelectronics

시리즈

8

파장

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색상-강화

Blue/Green

분광 범위

400nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

0.6 A/W @ 940nm

응답 시간

2ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

5mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-5 Variant, 2 Leads, Lens Top Metal Can

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제조업체

Advanced Photonix

시리즈

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-

색상-강화

-

분광 범위

190nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

0.18 A/W @ 254nm

응답 시간

40ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-어둡게 (일반)

45pA

활성 영역

0.87mm²

시야각

72°

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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