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VFT3080C-E3/4W

VFT3080C-E3/4W

참조 용

부품 번호 VFT3080C-E3/4W
PNEDA 부품 번호 VFT3080C-E3-4W
설명 DIODE SCHOTTKY 30A 80V ITO-220AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,068
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VFT3080C-E3/4W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VFT3080C-E3/4W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
VFT3080C-E3/4W, VFT3080C-E3/4W 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 203.84 KB)
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VFT3080C-E3/4W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈TMBS®
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If820mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr700µA @ 80V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지ITO-220AB

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

115A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 1600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

INT-A-PAK

CD411499C

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8mA @ 1400V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

MUR1610CTG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SWITCHMODE™

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

MBR20030CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 20V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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