VS-1N1185A
참조 용
| 부품 번호 | VS-1N1185A |
| PNEDA 부품 번호 | VS-1N1185A |
| 설명 | DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,084 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-1N1185A 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-1N1185A |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- VS-1N1185A Distributor
VS-1N1185A 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 150V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 40A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 126A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2.5mA @ 150V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-203AB |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 200°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 4A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.3V @ 4A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Stealth™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.4V @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 22ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220F-2L 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
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