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VS-1N1185A

VS-1N1185A

참조 용

부품 번호 VS-1N1185A
PNEDA 부품 번호 VS-1N1185A
설명 DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-1N1185A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-1N1185A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-1N1185A, VS-1N1185A 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 145.44 KB)
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VS-1N1185A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)40A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 126A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2.5mA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-203AB
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

14A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

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BYW172F-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

S150J

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

IDH04SG60CXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 4A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BAT165AX

Nexperia

제조업체

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

740mV @ 750mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

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패키지 / 케이스

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