VS-50WQ10FNHM3
참조 용
| 부품 번호 | VS-50WQ10FNHM3 |
| PNEDA 부품 번호 | VS-50WQ10FNHM3 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,940 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-50WQ10FNHM3 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-50WQ10FNHM3 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- VS-50WQ10FNHM3 Distributor
VS-50WQ10FNHM3 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 5.5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 770mV @ 5A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1mA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 183pF @ 5V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | D-PAK (TO-252AA) |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 410mV @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 6A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 6A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 670mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 74pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 USC 작동 온도-접합 150°C (Max) |
