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VS-65EPF12L-M3

VS-65EPF12L-M3

참조 용

부품 번호 VS-65EPF12L-M3
PNEDA 부품 번호 VS-65EPF12L-M3
설명 RECTIFIER DIODE 65A 1200V TO-247
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $37.8726
100 ---------- $36.0974
250 ---------- $34.3221
500 ---------- $32.5468
750 ---------- $31.0674
1,000 ---------- $29.5880
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-65EPF12L-M3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-65EPF12L-M3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VS-65EPF12L-M3, VS-65EPF12L-M3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 325.03 KB)
PDFVS-65EPF12L-M3 데이터 시트 표지
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  • VS-65EPF12L-M3 Distributor

VS-65EPF12L-M3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈*
다이오드 유형-
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도-
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

3000V

전류-평균 정류 (Io)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3000V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N6543

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

S85K

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 85A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

ESH1BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

HSM360J/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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