VS-86HFR100
참조 용
| 부품 번호 | VS-86HFR100 |
| PNEDA 부품 번호 | VS-86HFR100 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 85A DO203AB |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,772 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 26 - 7월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-86HFR100 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-86HFR100 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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VS-86HFR100 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard, Reverse Polarity |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 85A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 267A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 9mA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Chassis, Stud Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-203AB, DO-5, Stud |
| 공급자 장치 패키지 | DO-203AB |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 180°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123W 공급자 장치 패키지 SOD123W 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 60A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 60A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-247-2 (Straight Leads) 공급자 장치 패키지 DO-247 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 SMC Diode Solutions 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 6A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 R6, Axial 공급자 장치 패키지 R-6 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 100mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 620mV @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 700nA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 8.2pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0201 (0603 Metric) 공급자 장치 패키지 SL2 작동 온도-접합 125°C (Max) |
