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VS-GB150LH120N

VS-GB150LH120N

참조 용

부품 번호 VS-GB150LH120N
PNEDA 부품 번호 VS-GB150LH120N
설명 IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB150LH120N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB150LH120N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GB150LH120N, VS-GB150LH120N 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 134.01 KB)
PDFVS-GB150LH120N 데이터 시트 표지
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  • VS-GB150LH120N Distributor

VS-GB150LH120N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)300A
전력-최대1389W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.87V @ 15V, 150A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce10.6nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지Double INT-A-PAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전력-최대

190W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT50A170T1G

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

CM400DY-24NF

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1470W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

94nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF75DA60D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

270A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

10mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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