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VS-GB150YG120NT

VS-GB150YG120NT

참조 용

부품 번호 VS-GB150YG120NT
PNEDA 부품 번호 VS-GB150YG120NT
설명 OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB150YG120NT 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB150YG120NT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
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PDFVS-GB150YG120NT 데이터 시트 표지
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VS-GB150YG120NT 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)182A
전력-최대892W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)120µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지ECONO3 4PACK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

120mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

187nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E10

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E10

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

181A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 160A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

38.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

56-PIM/Q2PACK (93x47)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

517W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

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