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VS-GB200NH120N

VS-GB200NH120N

참조 용

부품 번호 VS-GB200NH120N
PNEDA 부품 번호 VS-GB200NH120N
설명 IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,816
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB200NH120N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB200NH120N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • VS-GB200NH120N Distributor

VS-GB200NH120N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)420A
전력-최대1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 200A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce18nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Double INT-A-PAK (3 + 4)
공급자 장치 패키지Double INT-A-PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FMS7G10US60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전력-최대

66W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

25PM-AA

공급자 장치 패키지

25PM-AA

CM75TJ-24F

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

357W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

29nF @ 10V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L150R12W2H3B11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF30A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전력-최대

140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP1

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