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VS-GB75YF120N

VS-GB75YF120N

참조 용

부품 번호 VS-GB75YF120N
PNEDA 부품 번호 VS-GB75YF120N
설명 IGBT 1200V 100A 480W ECONO
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GB75YF120N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GB75YF120N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GB75YF120N, VS-GB75YF120N 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 211.61 KB)
PDFVS-GB75YF120N 데이터 시트 표지
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  • VS-GB75YF120N Distributor

VS-GB75YF120N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지ECONO2 4PACK

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Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS10R12VT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전력-최대

64W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

700pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF50DH60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT100A60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGF75DH120TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Asymmetrical Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

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SP4

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