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VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

참조 용

부품 번호 VS-GT100DA120UF
PNEDA 부품 번호 VS-GT100DA120UF
설명 OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT100DA120UF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT100DA120UF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
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PDFVS-GT100DA120UF 데이터 시트 표지
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VS-GT100DA120UF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFRED®
IGBT 유형Trench
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)187A
전력-최대890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce6.15nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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제조업체

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IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전력-최대

284W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

FS50R12U1T4BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

100pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF450R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

560A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

6PS04512E43W39693NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT300A170D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1470W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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