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VS-GT180DA120U

VS-GT180DA120U

참조 용

부품 번호 VS-GT180DA120U
PNEDA 부품 번호 VS-GT180DA120U
설명 IGBT 1200V SOT-227
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,866
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT180DA120U 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT180DA120U
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
VS-GT180DA120U, VS-GT180DA120U 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 181.05 KB)
PDFVS-GT180DA120U 데이터 시트 표지
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VS-GT180DA120U 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFRED®
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)281A
전력-최대1087W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9350pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227

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Powerex Inc.

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IGBTMOD™

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM35GP120GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

230W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF75DA60D1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D1

공급자 장치 패키지

D1

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

89A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

FF450R12ME4EB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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