VS-GT200TP065N
참조 용
| 부품 번호 | VS-GT200TP065N |
| PNEDA 부품 번호 | VS-GT200TP065N |
| 설명 | IGBT |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,708 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-GT200TP065N 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-GT200TP065N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
| 데이터 시트 |
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- VS-GT200TP065N Distributor
VS-GT200TP065N 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 221A |
| 전력-최대 | 600W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.12V @ 15V, 200A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 60µA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | - |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | INT-A-Pak |
| 공급자 장치 패키지 | INT-A-PAK |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - IGBT 유형 NPT 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 138A 전력-최대 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대) 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce - 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 INT-A-PAK (3 + 4) 공급자 장치 패키지 INT-A-PAK |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - IGBT 유형 NPT 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전력-최대 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대) 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 3.45nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 Yes 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
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