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VS-GT75LP120N

VS-GT75LP120N

참조 용

부품 번호 VS-GT75LP120N
PNEDA 부품 번호 VS-GT75LP120N
설명 IGBT 1200V 150A 543W
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,850
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GT75LP120N 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GT75LP120N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • VS-GT75LP120N Distributor

VS-GT75LP120N 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전력-최대543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.52nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스INT-A-Pak
공급자 장치 패키지INT-A-PAK

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

440A

전력-최대

2500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS25R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

165W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP50R06W2E3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전력-최대

100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

VS-70MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전력-최대

378W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.43nF @ 30V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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