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VS-HFA08TA60C-N3

VS-HFA08TA60C-N3

참조 용

부품 번호 VS-HFA08TA60C-N3
PNEDA 부품 번호 VS-HFA08TA60C-N3
설명 DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,586
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-HFA08TA60C-N3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-HFA08TA60C-N3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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VS-HFA08TA60C-N3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFRED®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)155ns
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2.2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

390mV @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

2.2ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 6V

커패시턴스 @ Vr, F

6.1pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SMini2-F5-B

작동 온도-접합

125°C (Max)

SDD04S60

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 4A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

P-TO252-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

RS1KLHRUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRH120150

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

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