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VS-HFA25TB60SHM3

VS-HFA25TB60SHM3

참조 용

부품 번호 VS-HFA25TB60SHM3
PNEDA 부품 번호 VS-HFA25TB60SHM3
설명 DIODE GEN PURP 600V 25A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-HFA25TB60SHM3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-HFA25TB60SHM3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • VS-HFA25TB60SHM3 Distributor

VS-HFA25TB60SHM3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, HEXFRED®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 25A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB (D²PAK)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.24V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

85µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

TRS12E65C,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

12A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 12A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

90µA @ 170V

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 650V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2L

작동 온도-접합

175°C (Max)

D2200N24TVFXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2400V

전류-평균 정류 (Io)

2200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 2000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150mA @ 2400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AC, K-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 160°C

RGL41M-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

B0530WSQ-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

58pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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