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VT1045BP-M3/4W

VT1045BP-M3/4W

참조 용

부품 번호 VT1045BP-M3/4W
PNEDA 부품 번호 VT1045BP-M3-4W
설명 DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,938
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VT1045BP-M3/4W 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VT1045BP-M3/4W
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VT1045BP-M3/4W, VT1045BP-M3/4W 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 106.08 KB)
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  • VT1045BP-M3/4W Distributor

VT1045BP-M3/4W 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈TMBS®
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)10A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If680mV @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합200°C (Max)

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Comchip Technology

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다이오드 유형

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전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

350V

전류-평균 정류 (Io)

225mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 350V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

작동 온도-접합

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PMEG1020EJ,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

작동 온도-접합

150°C (Max)

SR110 R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

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DO-204AL (DO-41)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

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