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VT6Z2T2R

VT6Z2T2R

참조 용

부품 번호 VT6Z2T2R
PNEDA 부품 번호 VT6Z2T2R
설명 TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VT6Z2T2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VT6Z2T2R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
VT6Z2T2R, VT6Z2T2R 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,612.49 KB)
PDFVT6Z2T2R 데이터 시트 표지
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VT6Z2T2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
전력-최대150mW
주파수-전환350MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD
공급자 장치 패키지VMT6

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

전력-최대

2.25W

주파수-전환

-

작동 온도

-20°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual) Common Emitter

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

270MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

공급자 장치 패키지

TSMT5

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

전력-최대

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