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W25Q16DVSNJP

W25Q16DVSNJP

참조 용

부품 번호 W25Q16DVSNJP
PNEDA 부품 번호 W25Q16DVSNJP
설명 IC FLASH MEMORY 16MB
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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W25Q16DVSNJP 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q16DVSNJP
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q16DVSNJP, W25Q16DVSNJP 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 2,043.32 KB)
PDFW25Q16DVZPJP 데이터 시트 표지
W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 2 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 3 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 4 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 5 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 6 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 7 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 8 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 9 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 10 W25Q16DVZPJP 데이터 시트 페이지 11

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  • W25Q16DVSNJP Distributor

W25Q16DVSNJP 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

R1WV6416RSD-5SI#B0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)

공급자 장치 패키지

52-TSOP II

AT25BCM512C-MAHF-Y

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

70MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (2x3)

JR28F064M29EWLA

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

IS61LPS51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-LQFP (14x20)

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