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W25Q16JVSNIQ TR

W25Q16JVSNIQ TR

참조 용

부품 번호 W25Q16JVSNIQ TR
PNEDA 부품 번호 W25Q16JVSNIQ-TR
설명 IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,082
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W25Q16JVSNIQ TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q16JVSNIQ TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q16JVSNIQ TR, W25Q16JVSNIQ TR 데이터 시트 (총 페이지: 75, 크기: 2,869.72 KB)
PDFW25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 표지
W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 2 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 3 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 4 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 5 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 6 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 7 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 8 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 9 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 10 W25Q16JVUUIQ TR 데이터 시트 페이지 11

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W25Q16JVSNIQ TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

120MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

700µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1.125Tb (144G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

제조업체

ABLIC U.S.A. Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IDT71V67602S150BQI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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