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W25Q256FVBIG TR

W25Q256FVBIG TR

참조 용

부품 번호 W25Q256FVBIG TR
PNEDA 부품 번호 W25Q256FVBIG-TR
설명 IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W25Q256FVBIG TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q256FVBIG TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q256FVBIG TR, W25Q256FVBIG TR 데이터 시트 (총 페이지: 109, 크기: 2,797.65 KB)
PDFW25Q256FVFJQ 데이터 시트 표지
W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 2 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 3 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 4 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 5 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 6 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 7 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 8 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 9 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 10 W25Q256FVFJQ 데이터 시트 페이지 11

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W25Q256FVBIG TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-TFBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-Mini Map (2x3)

7164S70DB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-CerDip

W632GU8MB12I TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-VFBGA

공급자 장치 패키지

78-VFBGA (8x10.5)

IDT71V416YS15Y8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

S29AL016J70TFM010

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, AL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

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