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W25Q32BVTBJP TR

W25Q32BVTBJP TR

참조 용

부품 번호 W25Q32BVTBJP TR
PNEDA 부품 번호 W25Q32BVTBJP-TR
설명 IC FLASH MEMORY 32MB
제조업체 Winbond Electronics
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재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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W25Q32BVTBJP TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q32BVTBJP TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q32BVTBJP TR, W25Q32BVTBJP TR 데이터 시트 (총 페이지: 78, 크기: 1,092.81 KB)
PDFW25Q32BVZPJP 데이터 시트 표지
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W25Q32BVTBJP TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-TFBGA (6x8)

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

80ns

접근 시간

80ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOP

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.88ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FS-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

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