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W25X40CLDAIG

W25X40CLDAIG

참조 용

부품 번호 W25X40CLDAIG
PNEDA 부품 번호 W25X40CLDAIG
설명 IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP
제조업체 Winbond Electronics
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W25X40CLDAIG 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25X40CLDAIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25X40CLDAIG, W25X40CLDAIG 데이터 시트 (총 페이지: 53, 크기: 1,348.48 KB)
PDFW25X40CLDAIG TR 데이터 시트 표지
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W25X40CLDAIG 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지800µs
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (8x6)

AS7C34098A-12JCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

CAT24M01XI

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS61QDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QUAD

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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