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W29GL256SH9T

W29GL256SH9T

참조 용

부품 번호 W29GL256SH9T
PNEDA 부품 번호 W29GL256SH9T
설명 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,034
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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W29GL256SH9T 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W29GL256SH9T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W29GL256SH9T, W29GL256SH9T 데이터 시트 (총 페이지: 88, 크기: 3,281.3 KB)
PDFW29GL256SL9C TR 데이터 시트 표지
W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 2 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 3 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 4 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 5 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 6 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 7 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 8 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 9 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 10 W29GL256SL9C TR 데이터 시트 페이지 11

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  • W29GL256SH9T Distributor

W29GL256SH9T 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지90ns
접근 시간90ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지56-TSOP

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

138-UFBGA, WLBGA

공급자 장치 패키지

134-FBGA (10x11.5)

MT41K128M16JT-107 AAT:K TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

71V416S10BE

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-CABGA (9x9)

7027S55G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

108-BPGA

공급자 장치 패키지

108-PGA (30.48x30.48)

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