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W631GG6KB-12 TR

W631GG6KB-12 TR

참조 용

부품 번호 W631GG6KB-12 TR
PNEDA 부품 번호 W631GG6KB-12-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,892
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W631GG6KB-12 TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GG6KB-12 TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GG6KB-12 TR, W631GG6KB-12 TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,318.91 KB)
PDFW631GG6KB15J 데이터 시트 표지
W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 2 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 3 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 4 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 5 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 6 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 7 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 8 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 9 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 10 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 11

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  • W631GG6KB-12 TR Distributor

W631GG6KB-12 TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

IS61WV102416BLL-10MI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (9x11)

AS7C31024B-15JCNTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

FM24V01-GTR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

3.4MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

130ns

전압-공급

2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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