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W631GG6KB15I TR

W631GG6KB15I TR

참조 용

부품 번호 W631GG6KB15I TR
PNEDA 부품 번호 W631GG6KB15I-TR
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
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W631GG6KB15I TR 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GG6KB15I TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GG6KB15I TR, W631GG6KB15I TR 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 5,318.91 KB)
PDFW631GG6KB15J 데이터 시트 표지
W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 2 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 3 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 4 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 5 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 6 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 7 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 8 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 9 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 10 W631GG6KB15J 데이터 시트 페이지 11

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W631GG6KB15I TR 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-WBGA (9x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

MTFC16GJDEC-2M WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

169-WFBGA

공급자 장치 패키지

169-WFBGA (14x18)

70T651S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IS61NLP102418B-200B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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