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W631GG8KB-11

W631GG8KB-11

참조 용

부품 번호 W631GG8KB-11
PNEDA 부품 번호 W631GG8KB-11
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

W631GG8KB-11 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W631GG8KB-11
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W631GG8KB-11, W631GG8KB-11 데이터 시트 (총 페이지: 159, 크기: 2,842.83 KB)
PDFW631GG8KB15I TR 데이터 시트 표지
W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 2 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 3 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 4 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 5 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 6 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 7 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 8 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 9 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 10 W631GG8KB15I TR 데이터 시트 페이지 11

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  • W631GG8KB-11 Distributor

W631GG8KB-11 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-WBGA (10.5x8)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

7006S20G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-BPGA

공급자 장치 패키지

68-PGA (29.46x29.46)

AT27BV512-70TU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

MT47H64M16HR-3 IT:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (8x12.5)

MX25U51245GXDI00

Macronix

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx45 - MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60µs, 750µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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